化学：考前考中注意要点
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一、考前
1.回顾重要基础知识
（1）无机部分
考试秘籍
考生要回顾课本上的重要实验，如铁与水蒸气的反应、实验室制氯气、浓硫酸与铜的反应、SO2溶于水、实验室制氨气、反应方程式、反应装置、除杂、检验（干扰因素的排除）等；并且注意其与平衡理论、结构理论的关联，如Cl2+H2O[⇌]HC-lO+H++Cl-，从化学平衡、强弱电解质、结构（H-O-Cl）与性质等角度去分析此反应，而不是只关注这个方程式。
（2）有机化学
考生要关注非常见官能团的结构和名称，如酰胺基；重要的化学性质，如卤代烃的水解与消去、醇的多种氧化反应、酰胺在不同酸碱性水溶液中的水解、核酸等；重要的有机实验，如卤代烃的水解与消去、醇的消去、羧酸的酯化反应等。
（3）物质结构与性质
考生特别注意牢记一些名词，如原子核外电子排布的6种表达方式、晶体的自范性、超分子、元素分区、无隙并置、超分子等。
2.回顾重要解题
模型
（1）计算
①氧化还原计算，以
得失电子相等为主线，找所求与已知之间的对应关系。
②返滴定，所求用量 = 总量－过量。
③K、Ka、Kb、Ksp、Kh的定义，浓度为固定值的反应物或生成物不出现在K的表达式中，如固体、纯液体、稀溶液中的水。
④晶体的计算，求密度、求晶胞参数，注意1m=109nm=1012pm。
（2）同分异构体
思考顺序为：由分子式→不饱和度→类别→碳链异构→官能团位置异构。
（3）高聚物模型
考生要关注两种反应（加聚反应、缩聚反应）和两种结构（线性结构、网状结构）。
（4）实验探究
①排除干扰的方法，消灭法、单验法、对比法。
②物质氧化性或还原性强弱的影响因素及电化学验证。
③实验探究中的速率与限度。
④题目所给新知识的应用，排干扰、做检验，往往用于较难的设问。
3.回顾一些解题经验或教训
（1）审题
①在读题时，考生要迅速把题目所述事实或现象“翻译”成化学语言。
②考生要预判信息的用途，如给Ksp往往会涉及沉淀的生成、转化、离子方程式的书写等。
③对化工生产流程题或实验探究题，考生要审出各步后未标出的“隐含”物质或离子，这些“隐含”是设问的主要考点。
④理论题中，考生要分清是用速率还是限度来解释。
⑤考生要审溶液的酸碱性，正确书写离子方程式。
⑥计算题审单位，考生注意题目所给质量、长度、体积单位与所求要求单位是否一致。
⑦考生要审答题要求、结构，审要求书写哪种电子排布式、方程式的类型等。
（2）回顾解题经验
①结构中的难点是用配位键、氢键、分子极性来解释物质的物理或化学性质。
②理论题中导致某种后果的原因，一是考生熟知的，另一个是“隐含”在题中的。只写其中一点得不了2分。
③无机化工题中可循环使用的物质，一是有回箭头的物质，二是母液。
④有机推断隔步转化较难，往往需要考生用题目所给已知“前后夹击”。
⑤实验探究题文本较长，考生往往会忘掉前面的已知，导致写不出或写错答题。
4.考试时间分配
考生可分配给选择题20至25分钟，填空题平均每道题用时13分钟，结构、理论题一般少于平均用时，实验和有机题一般多于平均用时。
二、考中
1.考生要分配好时间，遇到较难的费时设问可先放一放，不要在一个选项或一道题上耗时太多。
2.面对选择题中的送分题，考生别想太多，充分自信，不是要把所有选项都仔细看一遍；如果有了明显答案，可不再看下去。
3.面对填空题，每道大题分几个设问，一般情况下，每个设问的关联性不强，前边答不上并不影响后面的填空，考生要把题看完。
（来源：《北京考试报》）
1.回顾重要基础知识
（1）无机部分
考试秘籍
考生要回顾课本上的重要实验，如铁与水蒸气的反应、实验室制氯气、浓硫酸与铜的反应、SO2溶于水、实验室制氨气、反应方程式、反应装置、除杂、检验（干扰因素的排除）等；并且注意其与平衡理论、结构理论的关联，如Cl2+H2O[⇌]HC-lO+H++Cl-，从化学平衡、强弱电解质、结构（H-O-Cl）与性质等角度去分析此反应，而不是只关注这个方程式。
（2）有机化学
考生要关注非常见官能团的结构和名称，如酰胺基；重要的化学性质，如卤代烃的水解与消去、醇的多种氧化反应、酰胺在不同酸碱性水溶液中的水解、核酸等；重要的有机实验，如卤代烃的水解与消去、醇的消去、羧酸的酯化反应等。
（3）物质结构与性质
考生特别注意牢记一些名词，如原子核外电子排布的6种表达方式、晶体的自范性、超分子、元素分区、无隙并置、超分子等。
2.回顾重要解题
模型
（1）计算
①氧化还原计算，以
得失电子相等为主线，找所求与已知之间的对应关系。
②返滴定，所求用量 = 总量－过量。
③K、Ka、Kb、Ksp、Kh的定义，浓度为固定值的反应物或生成物不出现在K的表达式中，如固体、纯液体、稀溶液中的水。
④晶体的计算，求密度、求晶胞参数，注意1m=109nm=1012pm。
（2）同分异构体
思考顺序为：由分子式→不饱和度→类别→碳链异构→官能团位置异构。
（3）高聚物模型
考生要关注两种反应（加聚反应、缩聚反应）和两种结构（线性结构、网状结构）。
（4）实验探究
①排除干扰的方法，消灭法、单验法、对比法。
②物质氧化性或还原性强弱的影响因素及电化学验证。
③实验探究中的速率与限度。
④题目所给新知识的应用，排干扰、做检验，往往用于较难的设问。
3.回顾一些解题经验或教训
（1）审题
①在读题时，考生要迅速把题目所述事实或现象“翻译”成化学语言。
②考生要预判信息的用途，如给Ksp往往会涉及沉淀的生成、转化、离子方程式的书写等。
③对化工生产流程题或实验探究题，考生要审出各步后未标出的“隐含”物质或离子，这些“隐含”是设问的主要考点。
④理论题中，考生要分清是用速率还是限度来解释。
⑤考生要审溶液的酸碱性，正确书写离子方程式。
⑥计算题审单位，考生注意题目所给质量、长度、体积单位与所求要求单位是否一致。
⑦考生要审答题要求、结构，审要求书写哪种电子排布式、方程式的类型等。
（2）回顾解题经验
①结构中的难点是用配位键、氢键、分子极性来解释物质的物理或化学性质。
②理论题中导致某种后果的原因，一是考生熟知的，另一个是“隐含”在题中的。只写其中一点得不了2分。
③无机化工题中可循环使用的物质，一是有回箭头的物质，二是母液。
④有机推断隔步转化较难，往往需要考生用题目所给已知“前后夹击”。
⑤实验探究题文本较长，考生往往会忘掉前面的已知，导致写不出或写错答题。
4.考试时间分配
考生可分配给选择题20至25分钟，填空题平均每道题用时13分钟，结构、理论题一般少于平均用时，实验和有机题一般多于平均用时。
二、考中
1.考生要分配好时间，遇到较难的费时设问可先放一放，不要在一个选项或一道题上耗时太多。
2.面对选择题中的送分题，考生别想太多，充分自信，不是要把所有选项都仔细看一遍；如果有了明显答案，可不再看下去。
3.面对填空题，每道大题分几个设问，一般情况下，每个设问的关联性不强，前边答不上并不影响后面的填空，考生要把题看完。
（来源：《北京考试报》）